深紫外LED 紫外燈發(fā)光原理 |
發(fā)布時(shí)間:2022-06-10 15:41:21 |
紫外燈發(fā)光原理 普通紫外線燈管與日光燈管的區(qū)別在于紫外線燈管使用的是能透過紫外線的石英玻璃,燈管內(nèi) 部沒有熒光粉。與日光燈工作原理一樣,啟動(dòng)時(shí),鎮(zhèn)流器通過啟輝器將燈管兩端的燈絲點(diǎn)燃 使其向燈管內(nèi)釋放自由電子,并在啟輝器斷開時(shí)由鎮(zhèn)流器產(chǎn)生的感應(yīng)電壓在燈絲釋放的自由電 子協(xié)助下將燈管內(nèi)錄蒸汽擊穿,形成等離子態(tài)導(dǎo)電,并釋放大量紫外線,紫外線通過石英玻璃 燈管輻射到燈管外部,使周圍空間受到紫外線照射。如果紫外線燈管使用的是對紫外線有較強(qiáng) 的阻擋作用的普通玻璃,并且內(nèi)部涂覆吸收紫外線釋放可見光的熒光粉,那就變成普通日光燈
1.深紫外LED發(fā)光機(jī)理:pN結(jié)的端電壓構(gòu)成一定的屏障,施加正向偏置電壓則屏障減少,p區(qū)域和N區(qū)域的大部分載波相互分散。由于電子遷移率遠(yuǎn)大于空穴遷移率,大量電子分散在p區(qū)域,形成少量載流子注入到p區(qū)域。這種電子與價(jià)帶孔復(fù)合,復(fù)合得到的能量以光能的形式釋放。那就是pN接合發(fā)光的原理。
深紫外線led燈珠光源硬化裝置。 2.深紫外led燈珠發(fā)射功率:通常稱為組合件外部量子功率,是組合件內(nèi)部量子功率和組合件取出功率的乘積。組件的內(nèi)部量子功率是組件本身的電光轉(zhuǎn)換功率,主要與組件本身的特性(例如,組件數(shù)據(jù)的帶,缺點(diǎn),雜質(zhì)),組件的晶體組成和結(jié)構(gòu)有關(guān)。組合件的取出功率是指組合件內(nèi)部產(chǎn)生的光子。通過組件本身的吸收、折射和反射,可以在組件外部實(shí)際測量的光子的數(shù)量。因此,提取功率的因素包括組件數(shù)據(jù)本身的吸收、組件的幾何結(jié)構(gòu)、組件與封裝數(shù)據(jù)的折射差、組件結(jié)構(gòu)的散射特性等。組合件內(nèi)部的量子功率和組合件取出功率的乘積是整個(gè)組合件的發(fā)光效果,即組合件的外部量子功率。初始組件的發(fā)展集中在其內(nèi)部量子功率的提高上,主要方法是通過提高組件的質(zhì)量和散射特性來獲得近70%的發(fā)光功率,從而獲得接近理論內(nèi)部量的發(fā)光功率,從而獲得接近理論上的發(fā)光功率獲得接近理論上的發(fā)光功率的發(fā)光功率。 3.深紫外led燈珠的電特性:電流控制器,負(fù)載特性類似于pN結(jié)的UI曲線。正導(dǎo)電壓的極小變化導(dǎo)致正向電流的極大變化(指數(shù)級),反向泄漏電流小,有反破壞電壓。在實(shí)際使用中,需要選擇。深紫外led燈珠的正向電壓隨著溫度的升高而減小,并且具有負(fù)溫度系數(shù)。深紫外led燈珠需要消耗功率,部分地轉(zhuǎn)換成光能。剩余部分轉(zhuǎn)化為熱能,使結(jié)溫上升。散熱(功率)可以表示為。 4.深紫外led燈珠的光學(xué)特性:深紫外led燈珠提供半寬的單色光。由于半導(dǎo)體的能隙隨著溫度的升高而減小,所以其發(fā)射峰值波長隨著溫度的升高而增加,即光譜紅移,溫度系數(shù)為+2~3A/。深紫外led燈珠的發(fā)光亮度L和正電流。電流增加,發(fā)光亮度幾乎增加。其他發(fā)光亮度也與環(huán)境溫度有關(guān)。環(huán)境溫度越高,復(fù)合功率越低,發(fā)光強(qiáng)度越低。 深紫外線led燈珠的熱學(xué)特性:在小電流下發(fā)光二極管的溫度上升不明顯。環(huán)境溫度高時(shí),深紫外發(fā)光二極管珠的主波長變紅,亮度降低,發(fā)光均勻性和一致性降低。特殊陣列和大顯示器的溫度上升對發(fā)光二極管的可靠性和穩(wěn)定性有很大的影響。因此,散熱計(jì)劃非常重要。 6.深紫外led燈珠壽命:深紫外led燈珠的長期動(dòng)作會(huì)導(dǎo)致光老化,特別是在大功率深紫外led燈珠光老化問題會(huì)越來越嚴(yán)重。在測量深紫外led燈珠壽命時(shí),光燈損傷不足以作為深紫外led燈珠壽命的結(jié)束。如35%那樣,LED壽命應(yīng)該由深紫外線led燈珠的光衰減率來規(guī)定,更有意義。 7.大功率紫外線led燈珠包:主要考慮散熱和發(fā)光。在散熱方面,用銅襯里連接鋁襯里,用錫片焊接連接結(jié)晶粒和襯里,效果好,性價(jià)比高。在發(fā)光方面,使用芯片實(shí)現(xiàn)技術(shù),在底面和側(cè)面添加反射面反射的無用光能,可以獲得更多的發(fā)光。 |