uvc-led和紫外線的區(qū)別?

1、發(fā)光介質(zhì)不同

深紫外UVC-LED消毒包的發(fā)光介質(zhì)是采用LED燈珠，而紫外線燈利用汞燈發(fā)出的紫外線來實(shí)現(xiàn)殺菌消毒功能。

2、環(huán)保性不同

紫外線汞燈就是水銀燈，水銀是有劇毒的，一旦汞燈破裂、水銀泄露對人體以及環(huán)境都有很嚴(yán)重的危害，而且我國已經(jīng)簽署了《水俁公約》，從2020年以后全面禁汞，含汞類的產(chǎn)品都不允許生產(chǎn)以及銷售了，這也可以看出來國家對于汞燈的態(tài)度了。而深紫外UVC-LED消毒包采用的LED燈珠具有電功耗小、啟動快、壽命長、體積小、殺菌消毒效果好等優(yōu)點(diǎn)，關(guān)鍵UVC-LED在使用過程中不會產(chǎn)生二次污染、環(huán)保性能高，因此，UVC-LED正被更多的消費(fèi)者青睞，深紫外UVC-LED消毒是替代傳統(tǒng)紫外線汞燈不可多得的新型殺菌方式。

3、消毒殺菌所需時間不同

深紫外UVC-LED殺菌消毒包配備的大功率燈珠，在密閉的小空間中，消殺時間一般在十幾秒到三五分鐘，就可以消滅多種常見致病菌，再者，由于UVC-LED燈珠體積小，消毒包對于電源線適配性要求低，普通的充電寶就能開啟，戶外或差旅通勤都能使用，日常便攜性高。而紫外線汞燈所需消殺時間一般在十幾分鐘到半個小時以上，才能達(dá)到很好的殺菌效果，但是汞燈因其高壓會產(chǎn)生臭氧、耗電量大、殺菌時間長、設(shè)備笨重等原因，限制了在日常使用的范圍，也終將被歷史淘汰。

現(xiàn)階段使用AlGaN資料led燈珠的外部量子功率EQE一般不到10%，因此美國方面的研究人員使用納米陣列的共同構(gòu)造打破了這個功率瓶頸。

研究人員認(rèn)為，這種AlGaN陣列結(jié)構(gòu)可以通過橫向磁（TM）偏振效應(yīng)沿平面?zhèn)鬏敼?，以抑制光子的激發(fā)，從而克服了鋁占有率高AlGaN下光水平傳輸?shù)呢?fù)面影響。另一方面，根據(jù)研究人員的估計，納米陣列結(jié)構(gòu)可以至少添加70%的光提取功率。

納米為了準(zhǔn)確生長陣列晶體，研究人員選擇選擇性區(qū)域外延生長技能。

選擇性成長是基于C平面上的GaN基藍(lán)寶石襯底上的分子束外延成長技能MBE成長的。

金屬模具外觀氮滲透處理后，GaN納米陣列基板在995°C的環(huán)境中開始成長，其上部的AlGaN在935-1025°C的環(huán)境中持續(xù)成長。納米在陣列上部選擇了富鋁處理。

研究人員使用光致發(fā)光（pL）曲線進(jìn)行縮放，不同共享的AlGaN光譜規(guī)模為210？327nm。另一方面，對于280nm的深紫外LED，其納米陣列由厚度為300nm的n型GaN、80nm的n型Al0構(gòu)成.64Ga0。36N、未摻雜Al0.48Ga0。52N及60nm的p型Al0.64Ga0。36N。

該結(jié)構(gòu)的光致發(fā)光光譜為283nm，總線寬為11nm。與不同溫度的pL曲線相比，其內(nèi)部量子功率IQE在室溫環(huán)境下約為45%。

50 x 50μm2大小的器材的開放電壓為4.4V，5V電流密度達(dá)到100A/Cm2。該特性遠(yuǎn)比以往的量子阱AlGaNLED高。

在波長279nm的情況下，伴隨著電流的添加，存在更細(xì)微的藍(lán)移現(xiàn)象，規(guī)模從279.6nm（50A/Cm2）到278.9nm（252A/Cm2）。

與此同時，估計所有輸出功率為0.93W/Cm2，電流密度達(dá)到252A/Cm2。然而，在這種條件下，光效率距離為10%的方針是有距離的。

理論上，總輸出功率可以通過優(yōu)化納米陣列的尺度和距離來增強(qiáng)光提取功率。另外，器材的功能也可以采用踏實(shí)接合等結(jié)構(gòu)來有效地提高。