led燈珠怎么接?

led小燈珠接線路：電源正負(fù)極就是GND和MODE那兩條線，現(xiàn)在控制器輸出有四個孔，先看下那個帶十號的孔在這四個孔的中間還是邊上，如果在邊上那你就把三顆LED的正極連在一起接到這個孔上，三顆LED的負(fù)極分別接到另外三個孔。

是否有外置驅(qū)動電源(適配器，或者叫鎮(zhèn)流器)?如果有適配器，那么隨便拿適配器的輸出端的兩條線接到燈上即可。如果第一次的接法燈不亮，那對換一下兩條線，燈即可亮了。即使第一次接錯也不會影響LED燈。

如果沒有外置驅(qū)動電源，那就不能直接接AC220V的市電了。如果你想判斷正負(fù)極，也可以拆開燈看看，里面一般會有“+-”標(biāo)注正負(fù)極。

1.買合適的燈，一般電動車上的燈都是12V的，所以不要買錯了。

2.找合適的位置，要么替換原先的，要么找個能裝燈的地方。

3.拆前蓋，現(xiàn)在的線路多是集線，都是各種插口，如果你想直接用原先的控制，只需要找到原先的燈的線路，把新燈的電線直接插到入口端那里試試能不能亮就好。

4.注意，LED燈是有正反的，電線接反了不亮。

5.如果想做一個新的開關(guān)，就找電源線的出口端接進(jìn)去，而不是原先的燈的入口端。注意正極(一般是紅線)接開關(guān)，再從開關(guān)接到電源線的接口端。

6.整理好線材，就近扎緊，不要讓線材亂跑。

led燈珠照明技術(shù)路徑涉及外延、基板、封裝、白光led燈珠的種類等多方面。紅色、綠色、藍(lán)色led燈珠、磷、砷、氮等III？V族由化合物、例如砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP、磷砷化鎵（GaAsp）以及氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體構(gòu)成。

1、led燈珠外延技術(shù)

近10年來，業(yè)界通過改善外延生長工藝實(shí)現(xiàn)了位錯密度大的改善。但是，主流的白光照明用藍(lán)色光led燈珠的氮化鎵GaN和基板間格子和熱膨脹系數(shù)的不匹配仍然帶來了高位錯密度。以前，led燈珠通過研究外延技術(shù)最大限度地降低缺陷密度，提高結(jié)晶質(zhì)量是led燈珠技術(shù)追求的目標(biāo)。

led燈珠的外延片是led燈珠的核心部分，led燈珠的波長、正向電壓、亮度或發(fā)光量等光電參數(shù)基本上依賴于外延片材料。外延技術(shù)和裝置是外延片制造技術(shù)的關(guān)鍵，金屬有機(jī)物氣相沉積技術(shù)MOCVD是III？V族,IIVI族和合金薄層結(jié)晶的主要方法。外延片的位錯作為非輻射復(fù)合中心對器件的光電特性有非常重要的影響。

led燈珠外延結(jié)構(gòu)及外延技術(shù)研究：

①led燈珠現(xiàn)有的成長技術(shù)包括多量子阱在低In成分的InGaN預(yù)阱釋放應(yīng)力前成長，作為載體“蓄水池”發(fā)揮作用，為了提高屏障層的結(jié)晶質(zhì)量GaN使阻擋層再升溫成長，使晶格匹配的InGaAlN阻擋層或成長應(yīng)力互補(bǔ)的InGaN/AlGaN結(jié)構(gòu)等成長。量子阱有源區(qū)InGaN/GaN量子阱活動區(qū)域是led燈珠外延材料的核心，成長InGaN量子阱的關(guān)鍵是控制量子阱的應(yīng)力，減少極化效果的影響。

經(jīng)過2年的發(fā)展，led燈珠的外延層結(jié)構(gòu)和外延技術(shù)相對成熟，led燈珠的內(nèi)量子效率達(dá)到90%以上，紅色led燈珠的內(nèi)量子效率接近100%。但是，在大功率LED燈珠研究中，發(fā)現(xiàn)在稱為Droop效應(yīng)的大電流注入下量子效率的降低是顯著的。GaN基led燈珠的Droop效應(yīng)的原因相對傾向于運(yùn)營商的局部化、來自活動區(qū)域的泄漏或溢出以及Auger復(fù)合。實(shí)驗(yàn)表明，使用寬量子阱降低載流子密度，優(yōu)化p型區(qū)域的電子阻擋層都可以緩解Droop效應(yīng)。

led燈珠在外延結(jié)構(gòu)和外延技術(shù)研究中的其他具體技術(shù)如下：。

①表面粗糙化技術(shù)

led燈珠外延表面粗糙化相當(dāng)于改變出射角度避免出射光全反射，由于外延材料的折射率與封裝材料不同，所以一部分出射光被反射到外延層。在過程中，如果直接處理外延表面，則容易損傷外延活性層，難以制作透明電極，通過改變外延層的生長條件，能夠進(jìn)行表面粗糙化。

②基板剝離技術(shù)

led燈珠藍(lán)寶石基板激光剝離技術(shù)是GaN基于同質(zhì)外延剝離開發(fā)的技術(shù)，使用紫外線激光照射基板，熔解過渡層并剝離，2003年OSRAM在該過程中剝離藍(lán)寶石，將出光率提高到75%，是以往的3倍，作為生產(chǎn)線形成。

③led燈珠根據(jù)觸發(fā)器技術(shù)美國Lumileds公司的數(shù)據(jù)，藍(lán)寶石基板的led燈珠增加了約1.6倍的出光率。

④led燈珠全方位反射膜盡可能使出光正面以外的表面的出光返回到外延層內(nèi)，最終提高從正面的出光率。

⑤led燈珠二維光子晶體的微觀結(jié)構(gòu)提高了出光效率，2003年9月日本松下電器制作了直徑1.5微米，高度0.5微米的凹凸光子晶體led燈珠，使出光率提高了60%。

2、基板技術(shù)

led燈珠經(jīng)常使用的芯片基板技術(shù)路徑主要有藍(lán)寶石基板、碳化硅基板、硅基板3種，還有正在開發(fā)中的氮化鎵、氧化鋅等。對基板材料提出要求：

①led燈珠基板與外延膜層的化學(xué)穩(wěn)定性一致，基板材料具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性，在外延生長溫度和氣氛中難以分解和腐蝕，不與外延膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而降低外延膜的質(zhì)量。

②led燈珠基板與外延膜層的熱膨脹系數(shù)一致，如果熱膨脹系數(shù)的差太大，則外延膜的生長質(zhì)量降低，在元件的動作中有可能造成發(fā)熱引起的元件損傷。

③led燈珠基板與外延膜層的結(jié)構(gòu)一致，若兩者的材料的晶體結(jié)構(gòu)相同或接近，則晶格常數(shù)的失配小，結(jié)晶性好，缺陷密度低。

我國led燈珠硅基板技術(shù)目前已經(jīng)突破技術(shù)，正在努力發(fā)展大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。目前，用于商品化GaN基led燈珠的基板僅是藍(lán)寶石和碳化硅基板?？捎糜谄渌鸊aN基led燈珠的基板材料是距離產(chǎn)業(yè)化相當(dāng)遠(yuǎn)的GaN同?；?、ZnO基板。