第三代功率半導(dǎo)體 |
發(fā)布時間:2022-03-11 15:17:30 |
目前最具發(fā)展?jié)摿Φ牟牧霞礊榫邆涓吖β始案哳l率特性的寬禁帶(Wide Band Gap;WBG)半導(dǎo)體,包含碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN),主要應(yīng)用大宗為電動車、快充市場。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究推估,第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)值將從2021年的9.8億,至2025年將成長至47.1億,年復(fù)合成長率達48%。 SiC適合高功率應(yīng)用,如儲能、風(fēng)電、光伏、電動車、新能源車等對電池系統(tǒng)具高度要求的產(chǎn)業(yè)。其中,電動車備受市場關(guān)注,不過目前市售電動車所搭載的功率半導(dǎo)體多數(shù)為硅基材料(Si base),如Si IGBT、Si MOSFET,但由于電動車電池動力系統(tǒng)逐步往800V以上的高電壓發(fā)展,相較于Si,SiC在高壓的系統(tǒng)中有更好的性能體現(xiàn),有望逐步替代部分Si base設(shè)計,大幅提高汽車性能并優(yōu)化整車架構(gòu),預(yù)估SiC功率半導(dǎo)體至2025年可達33.9億美元。 GaN適合高頻率應(yīng)用,包括通訊裝置,以及用于手機、平板、筆電的快充。相較于傳統(tǒng)快充,GaN快充擁有更大的功率密度,故充電速度更快,且體積更小便于攜帶,吸引不少OEM、ODM業(yè)者加入而開始高速發(fā)展,預(yù)估GaN功率半導(dǎo)體至2025年可達13.2億美元。 相較傳統(tǒng)Si base,第三代功率半導(dǎo)體襯底制造難度較高且成本較為昂貴,目前在各大襯底供應(yīng)商的開發(fā)下,包括Wolfspeed、II-VI、Qromis等業(yè)者陸續(xù)擴增產(chǎn)能,并將在2022下半年量產(chǎn)8吋襯底,預(yù)期第三代功率半導(dǎo)體未來幾年產(chǎn)值仍有成長的空間。 |