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PCIM Europe 2024,17家中國三代半企業(yè)“征戰(zhàn)”

發(fā)布時間:2024-06-18 09:09:01

全球電力電子行業(yè)的頂級展會PCIM Europe 2024于6月11日盛大召開,此次參展的中國企業(yè)(含港澳臺)數(shù)量達(dá)到了142家,其中不少企業(yè)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域有所布局。在本屆PCIM上,中外多家企業(yè)向世界展示了SiC/GaN在電子電力領(lǐng)域的最新技術(shù)及應(yīng)用。

國內(nèi)企業(yè)

本屆PCIM展會,多家國內(nèi)廠商攜新品新技術(shù)亮相,如英諾賽科、三安半導(dǎo)體、士蘭微、基本半導(dǎo)體、瑞能半導(dǎo)體、芯聚能等,其中,部分廠商亮點(diǎn)匯總?cè)缦拢?

01、三安半導(dǎo)體

在本次PCIM Europe上,三安以“推動低碳化和電氣化”為主旨,展示其在功率半導(dǎo)體和寬禁帶技術(shù)方面的最新產(chǎn)品如何賦能綠色低碳和電氣化轉(zhuǎn)型。

source:PCIM

三安通過展出豐富的功率產(chǎn)品矩陣,全面展示了其強(qiáng)大的垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈,從批量SiC晶錠生長到一流的分立封裝、集成模塊解決方案和應(yīng)用。產(chǎn)品與服務(wù)覆蓋8吋/6吋SiC晶錠、8吋/6吋SiC襯底、8吋/6吋SiC外延、SiC Diodes/MOSFETs芯片/器件以及車規(guī)級SiC功率模塊代工,其中器件包含十余種封裝類型和數(shù)十個規(guī)格型號的產(chǎn)品。

02、英諾賽科

英諾賽科在PCIM展會上展示多樣化分立氮化鎵和集成氮化鎵產(chǎn)品,以及基于高性能氮化鎵的多種解決方案。

英諾賽科展示了多形態(tài)產(chǎn)品組合,包含30V-700V的氮化鎵分立芯片、氮化鎵合封芯片(SolidGaN)和雙向?qū)ㄐ酒╒-GaN)。同時也將采用InnoGaN的多領(lǐng)域應(yīng)用解決方案一一呈現(xiàn),展示氮化鎵技術(shù)帶來的進(jìn)步,讓電源轉(zhuǎn)換和電源管理解決方案“更快,更小,更輕,更環(huán)保,更高效,性價比更高”。

source:英諾賽科

03、士蘭微電子

士蘭微此次全面展示車規(guī)級功率器件、驅(qū)動和控制芯片產(chǎn)品,以及多種應(yīng)用于汽車、新能源、白電、工業(yè)等領(lǐng)域的產(chǎn)品和應(yīng)用方案。

source:PCIM

04、基本半導(dǎo)體

基本半導(dǎo)體此次在展會上,正式發(fā)布2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、車規(guī)級碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工業(yè)級碳化硅功率模塊PcoreTM2 E2B等系列新品。

source:PCIM

05、派恩杰半導(dǎo)體

此次展會上,派恩杰半導(dǎo)體帶來了最新車規(guī)級封裝產(chǎn)品及更小的比導(dǎo)通電阻展品。

source:派恩杰半導(dǎo)體

派恩杰半導(dǎo)體推出的Easy 1B、62mm和SOT227封裝系列產(chǎn)品,涵蓋多種電路拓?fù)?,SiC MOSFET和SiCSBD模塊產(chǎn)品,可應(yīng)用于光伏發(fā)電、白色家電、射頻電源等領(lǐng)域。

此外,結(jié)合銀燒結(jié)和CuClip鍵合技術(shù),派恩杰半導(dǎo)體自主開發(fā)了車規(guī)級塑封半橋HEPACK封裝,可有效降低新能源汽車能耗等級。

對于HPD模塊,引入了銀燒結(jié)和DTS技術(shù),派恩杰半導(dǎo)體正積極布局1200V600A乃至800A高功率模塊。

06、瑞能半導(dǎo)體

瑞能半導(dǎo)體展出的產(chǎn)品陣容涵蓋了瑞能最新的高性能、高效率、高功率的技術(shù),以及諸如1200V碳化硅功率模塊、650V / 1200V SiC MOSFET、快恢復(fù)二極管、可控硅整流器、IGBT和其他可應(yīng)用于工業(yè),汽車,消費(fèi)電子等領(lǐng)域的功率器件。

source:PCIM

SiC產(chǎn)品中,全新系列的SiC MOSFET & SiC肖特基二極管 (SBD) 采用 TSPAK 封裝的,適用于電動汽車充電、車載充電器 (OBC)、光伏逆變器和高功率密度PSU應(yīng)用。新型MOSFET有650V、750V、1200V和1700V四種型號,電阻范圍從20mΩ到150mΩ。新型SiC SBD的電流范圍為10至40A(650V、750V和1200V)。

全新SiC功率模塊包含半橋、四組、六組、雙增壓和NPC 3L拓?fù)涞?SiC 功率模塊,主要針對于電動汽車充電、儲能系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動器、工業(yè)電源裝置 (PSU)、測試儀器和光伏逆變器。

瑞能半導(dǎo)體全新的1700V SiC 技術(shù)& 汽車級1200V / 750V車規(guī)SiC MOSFET提供多種封裝選項(xiàng)和產(chǎn)品配置,包括表面貼裝器件 (SMD) 分立器件和頂部冷卻,實(shí)現(xiàn)可再生能源和電動汽車的高功率、高密度設(shè)計。

07、中車時代半導(dǎo)體

中車時代半導(dǎo)體攜多款功率半導(dǎo)體元件及模塊、傳感器產(chǎn)品隆重亮相PCIM Europe德國紐倫堡展會。
據(jù)介紹,采用中車第五代TMOS高壓溝槽柵、第二代SiC平面柵芯片、AISiC基板、AIN襯板,具有高熱循環(huán)能力、高可靠性等特點(diǎn),可滿足車輛頻繁啟停和長距離可靠性運(yùn)行的需求,批量應(yīng)用于軌道交通領(lǐng)域。

source:PCIM

08、安世半導(dǎo)體

在功率場效應(yīng)晶體管(FET)方面,Nexperia展示了首款H橋配置的SMD SiC MOSFET,產(chǎn)品展現(xiàn)出卓越的R DS(on)溫度穩(wěn)定性;以及用于對E型GaN FET開關(guān)性能進(jìn)行基準(zhǔn)測試的半橋評估板。

source:PCIM

09、芯聚能半導(dǎo)體

芯聚能車規(guī)級模塊為800V新能源汽車平臺進(jìn)一步釋放了SiC高溫高速特性,實(shí)現(xiàn)了超低熱阻、拓展了工作范圍;具有高機(jī)械結(jié)構(gòu)強(qiáng)度、高功率循環(huán)壽命、高溫度沖擊穩(wěn)定性。

source:PCIM

10、忱芯科技

忱芯科技展出業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的SiC動態(tài)測試系統(tǒng)以及動態(tài)可靠性測試系統(tǒng),并提供現(xiàn)場的測試演示。公司也已推出用于CP階段和KGD階段測試的晶圓級動態(tài)可靠性(WLR)測試系統(tǒng)及裸芯片KGD測試系統(tǒng)。

source:PCIM

11、利普思半導(dǎo)體

PCIM Europe 2024現(xiàn)場,利普思發(fā)布了新一代主驅(qū)用塑封半橋SiC模塊(LPS-Pack系列)。據(jù)悉,該系列模塊是為滿足某海外知名車企差異化需求而開發(fā)的新品。

source:利普思

12、安建科技

此次展會上安建展出的產(chǎn)品陣容涵蓋了IGBT、SGT MOSFET、SiC和其他可用于電能轉(zhuǎn)換、電動汽車、消費(fèi)電子、新能源和工業(yè)自動化等領(lǐng)域的多款功率器件。

source:PCIM

13、賽晶科技

賽晶SiC芯片首次亮相PCIM Europe,芯片采用頂部金屬化,以便進(jìn)行鍵合或者DTS,靜態(tài)性能匹配先進(jìn)的汽車MOSFET產(chǎn)品性能需求,動態(tài)開關(guān)性能適用于EVD和HEEV模塊的應(yīng)用,具有高可靠性、高魯棒性。

source:賽晶科技

14、富樂華半導(dǎo)體

富樂華攜手富樂華歐洲團(tuán)隊(duì)、日本團(tuán)隊(duì)對功率半導(dǎo)體行業(yè)的封裝基板做了全方位的展示,分享了公司最新的創(chuàng)新型產(chǎn)品和技術(shù)解決方案,產(chǎn)品陣容涵蓋了適用于IGBT、SiC-MOSFET和其他可用于電動汽車、消費(fèi)電子、新能源和工業(yè)自動化等領(lǐng)域的覆銅陶瓷基板。

source:PCIM

15、卓爾半導(dǎo)體

卓爾半導(dǎo)體專注于研發(fā)碳化硅塑封模塊專用設(shè)備,主營芯片分選機(jī)、塑封自動化、切筋成型、激光去膠打標(biāo)等。

source:PCIM

16、飛仕得科技

本次展會飛仕得展出SiC應(yīng)用一站式解決方案,包括電源、驅(qū)動解決方案、功率模組及測試設(shè)備。并發(fā)布新一代多并聯(lián)驅(qū)動解決方案、新一代SiC器件動態(tài)測試設(shè)備等多款新品。

source:PCIM

17、悉智科技

悉智科技此次帶來旗下SiC封裝產(chǎn)品出席展會,其中自主研發(fā)的塑封SiC DCM模塊獲得海外客戶關(guān)注。

source:悉智科技

國外企業(yè)

海外市場方面, Wolfspeed、羅姆、英飛凌、三菱電機(jī)、納微半導(dǎo)體、CGD等悉數(shù)亮相,看點(diǎn)頗多,部分企業(yè)的亮點(diǎn)匯總?cè)缦拢?

18、Wolfspeed

Wolfspeed多位工程師在PCIM Europe 2024上發(fā)表演講,內(nèi)容涵蓋電動汽車電氣化、電動汽車實(shí)現(xiàn)、可再生能源賦能到電機(jī)驅(qū)動以及公司最新的SiC技術(shù)。

source:PCIM

19、羅姆

ROHM向外展示了其新的功率半導(dǎo)體解決方案。ROHM的SiC、Si和GaN產(chǎn)品組合專注于電動汽車和電源應(yīng)用,旨在滿足各個行業(yè)的需求。

source:PCIM

SiC方面,ROHM在PCIM Europe 2024上首次推出用于汽車應(yīng)用的新型SiC 功率模塊。除此之外,ROHM 還展示了其生產(chǎn)的8英寸SiC 晶圓,并透露了有關(guān)其SiC產(chǎn)品開發(fā)的愿景。

ROHM的第四代SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻水平,最大限度地降低了開關(guān)損耗,并支持15V和18V柵極源電壓。

GaN方面,ROHM展示了EcoGaN?系列150V和650V GaN HEMT。ROHM還展示其EcoGaN? 系列的10多塊電路板,并介紹它們在工業(yè)解決方案中的作用。

20、英飛凌

英飛凌此次向外展示了業(yè)界廣泛的電力電子產(chǎn)品組合,涵蓋硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 相關(guān)的電力技術(shù)。

source:PCIM

寬帶隙技術(shù)方面:英飛凌展示了可用于提高整體能源效率的第二代CoolSiC? MOSFET 650V和1200V。此外,其還展示擴(kuò)展的GaN解決方案組合,提供各種創(chuàng)新封裝、分立和集成解決方案。
信息和通信技術(shù):英飛凌展示了包括Si、SiC和GaN電源開關(guān)在內(nèi)的尖端解決方案,以滿足服務(wù)器技術(shù)和電信網(wǎng)絡(luò)不斷發(fā)展的需求。

21、意法半導(dǎo)體

此次意法半導(dǎo)體帶來了GaN在電源中的應(yīng)用方案、SiC MOSFET、SiC功率模塊、SiC電源模塊等產(chǎn)品。

source:PCIM

22、賀利氏

賀利氏在展會上向外呈現(xiàn)PE360模塊焊接燒結(jié)漿料和無銀活性金屬釬焊氮化硅基板(AMB-Si3N4)等尖端創(chuàng)新產(chǎn)品,并展示旗下功率模塊封裝方案。

source:PCIM

23、納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體此次主要技術(shù)更新和發(fā)布包括GaNSafe?、Gen-4 GaNSense?半橋IC和Gen-3 Fast GeneSiC功率FET。

source:PCIM

24、PI電源

PI電源分享其在AC-DC轉(zhuǎn)換、柵極驅(qū)動器、電機(jī)驅(qū)動器和汽車解決方案方面的最新創(chuàng)新。

source:PCIM

25、IV Works

在此次展會上,IV Works向外展示了GaN作為高壓應(yīng)用解決方案的材料創(chuàng)新以及n+GaN、p-GaN選擇性區(qū)域再生技術(shù)。

source:PCIM

結(jié)語

本次PCIM上,能明顯感受到國內(nèi)出海企業(yè)增多,從側(cè)面反映出不少三代半企業(yè)已將目光從國內(nèi)市場轉(zhuǎn)移至全球市場。對于國內(nèi)三代半廠商而言,國內(nèi)業(yè)務(wù)發(fā)展到一定階段,出海尋求更廣闊的增長空間順理成章,尤其是在技術(shù)、產(chǎn)能等方面擁有一定的實(shí)力后,拓展海外市場也更加從容。

隨著國內(nèi)三代半企業(yè)的出海動作開展,競爭更加激烈的同時,行業(yè)會更加多元化,產(chǎn)業(yè)業(yè)務(wù)整合的步伐也將加快,有助于推動行業(yè)的全球化發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步。(轉(zhuǎn)載:來源:PCIM官方、各公司、集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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